電動工具、鋰電保護板推薦MOS管 KCX2704A：40V 150A-KIA MOS管

KIA MOS管-KCX2704A：40V 150A KCX2704A是由國內(nèi)專注研發(fā)的優(yōu)質(zhì)MOS管廠家生產(chǎn)。KCX2704A是一款SGT工藝產(chǎn)品，是使用LVMOS技術生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。改進的工藝和單元結構特別定制，以最小化導通電阻，提供優(yōu)越的開關性能。該設備廣泛用于UPS和逆變器系統(tǒng)的電源管理等。

隨著手機快充、電動汽車、無刷電機和鋰電池的興起，中壓MOSFET的需求越來越大，中壓功率器件開始蓬勃發(fā)展，因其巨大的市場份額，國內(nèi)外諸多廠商在相應的新技術研發(fā)上不斷加大投入。SGT MOSFET作為中MOSFET的代表，被作為開關器件廣泛應用于電機驅(qū)動系統(tǒng)、逆變器系統(tǒng)及電源管理系統(tǒng)，是核心功率控制部件。

SGT MOSFET結構具有電荷耦合效應，在傳統(tǒng)溝槽MOSFET器件PN結垂直耗盡的基礎上引入了水平耗盡，將器件電場由三角形分布改變?yōu)榻凭匦畏植?，在采用同樣摻雜濃度的外延材料規(guī)格情況下，器件可以獲得更高的擊穿電壓。

較深的溝槽深度，可以利用更多的硅體積來吸收EAS能量，所以SGT在雪崩時可以做得更好，更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。在開關電源，電機控制，動力電池系統(tǒng)等應用領域中，SGT MOSFET配合先進封裝，非常有助于提高系統(tǒng)的效能和功率密度。

SGT技術優(yōu)勢：

提升功率密度

SGT結構相對傳統(tǒng)的Trench結構，溝槽挖掘深度深3-5倍，可以橫向使用更多的外延體積來阻止電壓，顯著降低了MOSFET器件的特征導通電阻（Specific Resistance），例如相同的封裝外形PDFN5*6，采用SGT芯片技術，可以得到更低的導通電阻。

極低的開關損耗

SGT相對傳統(tǒng)Trench結構，具有低Qg 的特點。屏蔽柵結構的引入，可以降低MOSFET的米勒電容CGD達10倍以上，有助于降低器件在開關電源應用中的開關損耗。另外，CGD/CGS的低比值也是目前同步整流應用中抑制shoot-through的關鍵指標，采用SGT結構，可以獲得更低的CGD/CGS比值。

更好的EMI優(yōu)勢

SGT MOS結構中的內(nèi)置電阻電容緩沖結構，可以抑制DS電壓關斷時的瞬態(tài)振蕩，開關電源應用中，SGT結構中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件關斷時dv/dt變化帶來的尖峰和震蕩，進一步降低應用風險。

40V 150A KCX2704A特點：

VGS=10V時，RDS（ON）=1.25mΩ（典型值）

低柵極電荷

低Crss

快速切換

額定極限dv/dt

100%雪崩測試

無鉛電鍍

符合RoHS

KCX2704A漏源擊穿電壓40V，漏極電流最大為150A；開啟延遲典型值為22nS，關斷延遲時間典型值為87nS，上升時間64nS，下降時間28nS，反向傳輸電容43pF，反向恢復時間67nS，正向電壓的典型值1.4V。

圖：KCX2704A引腳配置

圖：KCX2704A規(guī)格書

【KCX2704A應用】

40V 150A MOS管KCX2704A推薦用于鋰電池保護板、無人機電調(diào)、同步整流、電動工具等。

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