功率MOSFET模塊的有助于大功率應用的高效化與小型化
信息來源：本站 日期：2017-08-04
低功耗趨勢
封裝的小型化使封裝的熱阻降低，功率耗散才能進步，相同電壓電流規(guī)格或者功率規(guī)格的產品，個頭小的，功率耗散才能更高，這似乎與我們的生活常識有些相悖，但是事實確實如此。
VMOS的通態(tài)功耗，業(yè)界習氣于用飽和導通電阻RDS(ON)來權衡，這是不太客觀的，由于電流規(guī)格在很大水平上影響著RDS(ON)的數(shù)值，其內在緣由是VMOS管的管芯是由大量管芯單元(Cell)構成的，很顯然，其他條件相同的情況下，電流規(guī)格越小，RDS（ON)越大。
一個相對客觀的辦法是將管芯面積的要素思索進來，將管芯面積A與RDS(ON)相乘，得到一個名為“本征電阻”的參數(shù)以減少電流規(guī)格的影響(圖1．46)。本征電阻小，就意味著要么電流規(guī)格很高，要么適用的開關頻率很高。另一方面，管芯制程（芯片的設計與制造規(guī)程）的開展使管芯單元的密度逐步提高，也有利于管芯的小型化。在功率半導體方面，耗散功率會限制管芯制程的進一步減小，這方面還是滯后于小功率IC的。
除了通態(tài)功耗，開關功耗（開通與關斷期間的功耗）也是影響大功率VMOS的主要要素之一，特別是高頻應用，請求尤為迫切。而管芯單元密度的不時進步，會增加極間電容、散布電容以及柵電荷，這些要素既影響開關功耗，義影響開關速度，雖然如此，這依然是當前技術開展的主要方面。
在普通狀況下，我們很難從公開的技術材料中查閱到管芯的詳細大小，一個粗略的替代辦法是，能夠用產品技術手冊中給出RDS(ON)和丈量這一數(shù)值所采， 用的漏極電流相乘，我們權且稱這個數(shù)值為“歐安值”。用歐安值也能得到相似的結果，如圖1. 47所示。
這個圖形與圖1. 46最大的不同是，可以反映出開關速度存其中的限制因素，早期的高速產品，如2SK2313，同樣有比擬低的歐安值，但是它的封裝比擬大，而且電流規(guī)格偏低。
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