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MOS管散熱、功率、電流參數關聯(lián)分析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-06-14 

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MOS管散熱、功率、電流參數關聯(lián)分析-KIA MOS管


MOS管有如下參數:

Operating Junction :Tmin-Tmax。

Continuous Drain Current(Rjc):I(T=Tc)。

Power Dissipation(Rjc):P(T=Tc)。

THERMAL RESISTANCE:Rjc 。

Drain?to?Source On Resistance:RDS(on)


為防止mos管溫度超過Tmax,因此有如下公式:

Tmax=Rjc*P+TC.


MOS管的功耗主要來自于電流

P=I*I*Ron。


以NVMFS5C450NL為例:


MOS管 參數


當TC=25度的時候:

Power Dissipation=68W.


THERMAL RESISTANCE=2.2.

Rjc*P+TC=2.2*68+25=174.6

器件最高工作溫度是175度,可見是相等的。


Continuous Drain Current=110A.

Drain?to?Source On Resistance:RDS(on)


MOS管 參數


在175的時候導通電阻=2.8*1.85=5.18。

I*I*RDS(on)=110*110*0.00518=62.678W。

Power Dissipation=68W.

這兩個數據也是很接近的。


TC,TA等于其他溫度的時候,這個關系也是可以驗證的。

因此可以得出結論,mos管的最大電流,最大功耗,這些參數的意義,就是為了保證mos管的Junction溫度不超過最大限值。



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