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場(chǎng)效應(yīng)管使用優(yōu)勢(shì),等詳細(xì)分析,這波不看就虧了-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2020-12-11 

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場(chǎng)效應(yīng)管使用優(yōu)勢(shì),等詳細(xì)分析,這波不看就虧了-KIA MOS管


場(chǎng)效應(yīng)管使用優(yōu)勢(shì),特點(diǎn)解析

場(chǎng)效應(yīng)管的使用優(yōu)勢(shì)有哪些?

場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。


場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,被稱之為雙極型器件。


有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好。


場(chǎng)效應(yīng)管使用優(yōu)勢(shì):場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。


場(chǎng)效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用有何特點(diǎn)?

1.場(chǎng)效應(yīng)管的源極S、柵極G、漏極D分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極E、基極B、集電極c,它們的作用相似。


2.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流器件,由Vgs控制id,其放大系數(shù)gm 一般較小,因此場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力較差;三極管是電流控制電流器件,由iB (或ie)控制ic。


3.場(chǎng)效應(yīng)管柵極幾乎不取電流;而三極管工作時(shí)基極總要吸取一定的電流。因此場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高。


4.場(chǎng)效應(yīng)管只有多子參與導(dǎo)電;三極管有多子和少子兩種載流子參與導(dǎo)電,而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,因而場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)。在環(huán)境條件(溫度等)變化很大的情況下應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。


5.場(chǎng)效應(yīng)管在源極水與襯底連在一起時(shí), 源極和漏極可以互換使用,且特性變化不大;而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時(shí),其特性差異很大,b值將減小很多。


6.場(chǎng)效應(yīng)管和三極管均可組成各種放大電路和開(kāi)路電路,但由于前者制造工藝簡(jiǎn)單,且具有耗電少,熱穩(wěn)定性好,工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點(diǎn),因而被廣泛用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。


7.三極管導(dǎo)通電阻大,場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通電阻小,只有幾百毫歐姆,在現(xiàn)在的用電器件上,一般都用場(chǎng)效應(yīng)管做開(kāi)關(guān)來(lái)用,它的效率是比較高的。


場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是怎樣的?

我們以增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例,它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,PNP型也叫P溝道型。由圖8-10可看出,對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。


我們知道三極管是由輸入的基極小電流控制輸出的集電極大電流,但對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管,其輸出電流是由輸入的電壓(或稱電場(chǎng))控制,可以認(rèn)為輸入電流極小或沒(méi)有輸入電流,這使得該器件有很高的輸入阻抗,同時(shí)這也是我們稱之為場(chǎng)效應(yīng)管的原因。


場(chǎng)效應(yīng)管,使用優(yōu)勢(shì)


要解釋Mos場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理,我們先復(fù)習(xí)一下僅含有一個(gè)p-N結(jié)的二極管的工作過(guò)程。如圖8-11所示,我們知道在二極管加上正向電壓(P端接正極,N端接負(fù)極)時(shí),二極管導(dǎo)通,其PN結(jié)有電流通過(guò)。


這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí),N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端,而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng),從而形成導(dǎo)通電流。


理,當(dāng)二極管加上反向電壓(P端接負(fù)極, N端接正極)時(shí),這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓,正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端,負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端,電子不移動(dòng),其PN結(jié)沒(méi)有電流通過(guò),二極管截止。


場(chǎng)效應(yīng)管,使用優(yōu)勢(shì)


對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管,在柵極沒(méi)有電壓時(shí),由前面分析可知,在源極與漏極之間不會(huì)有電流流過(guò),此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管處與截止?fàn)顟B(tài),如圖8-11 (a) 所示。


當(dāng)有一個(gè)正電壓加在N溝道的MOS場(chǎng)效應(yīng)管柵極上時(shí),由于電場(chǎng)的作用,此時(shí)N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負(fù)電子被吸引出來(lái)而涌向柵極,但由于氧化膜的阻擋,使得電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的P型半導(dǎo)體中,如圖8-11 (b) 所示,從而形成電流,使源極和漏極之間導(dǎo)通。


我們也可以想像為兩個(gè)N型半導(dǎo)體之間為一條溝,柵極電壓的建立相當(dāng)于為它們之間搭了一座橋梁,該橋的大小由柵壓的大小決定。圖8-12 給出了P溝道的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作過(guò)程,其工作原理類似N溝道MOS管。


場(chǎng)效應(yīng)管,使用優(yōu)勢(shì)






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