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好文必看|MOS電容結構圖文解析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2020-12-10 

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好文必看|MOS電容結構圖文解析-KIA MOS管


MOS電容結構-MOS電容


MOS電容結構


MOS結構具有Q隨V變化的電容效應,形成MOS電容。


理想MOS電容結構特點


MOS電容結構


絕緣層是理想的,不存在任何電荷,絕對不導電;


半導體足夠厚,不管加什么柵電壓,在到達接觸點之前總有一個零電場區(qū)(硅體區(qū))


絕緣層與半導體界面處不存在界面陷阱電荷;


金屬與半導體之間不存在功函數(shù)差。


MOS電容結構


負柵壓:多子的積累,體內(nèi)多子順電場方向被吸引到S表面,


能帶變化:空穴在表面堆積,能帶上彎


MOS電容結構


MOS電容結構-理想MOS電容:

絕緣層是理想的,不存在任何電荷;Si和SiO2界面處不存在界面陷阱電荷;


金半功函數(shù)差為0。


系統(tǒng)熱平衡態(tài),能帶平,表面凈電荷為0。


MOS電容結構


小的正柵壓:多子耗盡,表面留下帶負電的受主離子,不可動,且由半導體濃度的限制,形成負的空間電荷區(qū)。


能帶變化:P襯表面正空穴耗盡,濃度下降,能帶下彎,Xd:空間電荷區(qū)(耗盡層、勢壘區(qū))的寬度。


注意:正柵壓↑,增大的電場使更多的多子耗盡,Xd↑,能帶下彎增加。


MOS電容結構


大的正柵壓:能帶下彎程度↑,表面EFi到EF下,表面具n型。


P襯表面Na-面電荷密度↑,同時P襯體內(nèi)的電子被吸引到表面,表面出現(xiàn)電子積累,反型層形成。


注意:柵壓↑反型層電荷數(shù)增加,反型層電導受柵壓調(diào)制。閾值反型后,Xd↑最大值Xdt不再擴展。




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