KCY3104S 110A/40V 新產(chǎn)品上線 原裝正品保證 專業(yè)制造MOS管-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-07-17
KCY3104S是KIA半導(dǎo)體新研發(fā)是MOS管產(chǎn)品、是SGT工藝。接下來簡單的介紹一下KIA半導(dǎo)體，深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
KIA半導(dǎo)體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運(yùn)輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無人機(jī)、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產(chǎn)品的精細(xì)化與革新，力求為客戶提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。
從設(shè)計(jì)研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導(dǎo)體真正實(shí)現(xiàn)了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細(xì)節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場效應(yīng)管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個(gè)目標(biāo)，KIA半導(dǎo)體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！
RDS(on)=1.5mΩ(typ.)@VGS=10V
先進(jìn)的溝槽技術(shù)
低柵電荷
大電流能力
符合RoHS
型號：KCY3104S
工作方式：110A/40V
漏源電壓：40A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流:400A
單脈沖雪崩能量:400mJ
總功耗:125W
漏源擊穿電壓:40V
前跨端導(dǎo)管:50S
柵極電阻：1.0Ω
輸入電容：3950pF
輸出電容：1100pF
反向轉(zhuǎn)移電容：80pF
1、同步整流
2、直流/直流轉(zhuǎn)換器
3、其他
在線查看及下載，請點(diǎn)擊下圖。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
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