HY1906替代MOS管-HY1906、KNX3308A規(guī)格書(shū)、封裝、參數(shù)詳解

HY1906規(guī)格書(shū),HY1906參數(shù),HY1906替代

下文將會(huì)詳細(xì)的介紹國(guó)產(chǎn)MOS管KNX3308A和HY1906兩個(gè)產(chǎn)品的主要參數(shù)、封裝、應(yīng)用領(lǐng)域等產(chǎn)品信息。KIA半導(dǎo)體是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。

從設(shè)計(jì)研發(fā)到制造再到倉(cāng)儲(chǔ)物流，KIA半導(dǎo)體真正實(shí)現(xiàn)了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細(xì)節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個(gè)目標(biāo)，KIA半導(dǎo)體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！

MOS管 KNX3308A產(chǎn)品特征

RDS(ON)=6.2mΩ(typ)@VGS=10V

提供無(wú)鉛環(huán)保設(shè)備

降低導(dǎo)電損耗的低RD值

高雪崩電流

MOS管 KNX3308A應(yīng)用領(lǐng)域

電力供應(yīng)

直流變換器

MOS管 KNX3308A主要參數(shù)

型號(hào)：KNX3308A

電流：80A

電壓：80V

漏源極電壓:80V

柵源電壓:±25

脈沖漏電流：340A

雪崩電流:20A

雪崩能源:410MJ

MOS管 KNX3308A封裝引腳圖

KNX3308A產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

查看規(guī)格書(shū)，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。

MOS管 HY1906 60V/70A產(chǎn)品特征

RDS(ON)=5.7 mΩ(typ.)@VGS=10V

雪崩測(cè)試100%

MOS管 HY1906 60V/70A參數(shù)

型號(hào)：HY1906

參數(shù)：60V/70A

漏源電壓：60V

柵源電壓:±25V

源電流連續(xù):70A

脈沖漏電流:260A

連續(xù)漏電流 Tc=25℃:70A

連續(xù)漏電流 Tc=100℃:49.5A

單脈沖雪崩能量286.6MJ

漏源擊穿電壓：60V

輸入電容：4620PF

輸出電容：410PF

反向傳輸電容:360PF

MOS管 HY1906 60V/70A規(guī)格書(shū)

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