MOS管 HY3210可以用KNX2910A替代 參數(shù)/規(guī)格書/封裝詳情-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-06-20
KIA半導(dǎo)體KNX2910A可以替代HY3210，KIA半導(dǎo)體深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。
KIA半導(dǎo)體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運(yùn)輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無人機(jī)、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產(chǎn)品的精細(xì)化與革新，力求為客戶提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。
下文將介紹HY3210和KNX2910A兩個(gè)型號(hào)的參數(shù)對(duì)比、封裝、規(guī)格書等詳情。
1、開關(guān)電源中的高效同步整流
2、高速功率開關(guān)
RDS(on)=5.0mΩ @VGS=10V
超高密度電池設(shè)計(jì)
超低導(dǎo)通電阻
雪崩測(cè)試100%
提供無鉛和綠色設(shè)備（符合RoHS）
型號(hào)：KNX2910A
參數(shù)：130A/100V
漏源電壓：100V
柵源電壓:±25V
雪崩能量單脈沖:552MJ
漏源擊穿電壓:100V
輸入電容：6800pF
輸出電容：630pF
反向轉(zhuǎn)移電容：350pF
查看及下載規(guī)格書，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。
RDS(ON)=6.8mΩ(typ.)@VGS=10V
雪崩測(cè)試100%
可靠、堅(jiān)固
無鉛和綠色設(shè)備
電源切換應(yīng)用
不間斷電源
查看及下載規(guī)格書，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)
請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供 MOS管 技術(shù)幫助
