MOS管參數(shù)大全
信息來源：本站 日期：2017-04-27
Mosfet參數(shù)意義闡明 Features:
Pd: 最大耗散功率
Tj: 最大作業(yè)結(jié)溫，通常為150度和175度
Tstg: 最大存儲(chǔ)溫度
Idm: 最大脈沖DS電流.會(huì)隨溫度的增加而下降，表現(xiàn)一個(gè)抗沖擊才華，跟脈沖時(shí)刻也有聯(lián)絡(luò)
Iar: 雪崩電流
Ear: 重復(fù)雪崩擊穿能量
BVdss： DS擊穿電壓 Idss: 豐滿DS電流，uA級(jí)的電流 Eas: 單次脈沖雪崩擊穿能量 Igss: GS驅(qū)動(dòng)電流，nA級(jí)的電流.
Eas: 單次脈沖雪崩擊穿能量
gfs: 跨導(dǎo) Qg: G總充電電量
Qgs: GS充電電量
Eas: 單次脈沖雪崩擊穿能量
Qgd: GD充電電量
Td(on): 導(dǎo)通推遲時(shí)刻，從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時(shí)刻
Ciss: 輸入電容，Ciss=Cgd + Cgs.
Tf: 下降時(shí)刻，輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時(shí)刻
Coss: 輸出電容，Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向傳輸電容，Crss=Cgc.
聯(lián)系方式：鄒先生
手機(jī)：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
關(guān)注KIA半導(dǎo)體工程專輯請(qǐng)搜微信號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或點(diǎn)擊本文下方圖片掃一掃進(jìn)入官方微信“關(guān)注”
長按二維碼識(shí)別關(guān)注
