n溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

n溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工作原理

Ugs對(duì)導(dǎo)電溝道和D i 的控制作用：

當(dāng)Ugs= 0時(shí)，導(dǎo)電溝道未受任何電場(chǎng)的作用，導(dǎo)電溝道最寬，當(dāng)外加Uds 時(shí)，D i 最大；當(dāng)Ugs由零向負(fù)值增大時(shí)，在GS u 的反向偏置電壓作用下，耗盡層將加寬，導(dǎo)電溝道變窄，溝道電阻增大，

外加Uds 時(shí)， D i 將減??；當(dāng)│ Ugs│＝ U gs(off) 時(shí)，兩側(cè)的耗盡層在中間完全合攏，導(dǎo)電溝道被夾斷；相應(yīng)的柵－源極之間的電壓稱為夾斷電壓Ugs(off)  ?？梢?jiàn)，改變Ugs的大小可以有效控制導(dǎo)電溝道電阻的大小。

n溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)

n溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管由一個(gè)被一個(gè)p型摻雜（阻礙層）環(huán)繞的n型摻雜組成。在n型摻雜上連有汲極（也稱漏極，來(lái)自英語(yǔ)Drain，因此也稱D極）和源極（來(lái)自英語(yǔ)Source，因此也稱S極）。從源極到汲極的這段半導(dǎo)體被稱為n通道。p區(qū)連有閘極（也稱柵極，來(lái)自英語(yǔ)Gate，因此也成為G極）。這個(gè)極被用來(lái)控制結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，它與n通道組成一個(gè)pn二極管，因此結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管與金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管類似，只不過(guò)在金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管中不是使用pn結(jié)，而是使用肖特基結(jié)（金屬與半導(dǎo)體之間的結(jié)），在原理上結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管與金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管是完全一樣的。

KIA半導(dǎo)體n溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

1、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

KIA設(shè)計(jì)生產(chǎn)的超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管用先進(jìn)的耐壓原理和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，全新600~900V系列產(chǎn)品為系統(tǒng)應(yīng)用提供充足的耐壓余量，簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)難度，提高系統(tǒng)可靠性，滿足客戶對(duì)高耐壓、低導(dǎo)通內(nèi)阻和高效超結(jié)MOSFET的需求。

2、產(chǎn)品特點(diǎn)

（1）更高耐壓為系統(tǒng)設(shè)計(jì)和應(yīng)用提供更充足余量

（2）更低的導(dǎo)通電阻，利于降低導(dǎo)通損耗

（3）極低的柵極電荷，提供更快的開(kāi)關(guān)速度

（4）同規(guī)格下更小的封裝體積，使系統(tǒng)更輕便

（5）雪崩能力測(cè)試，確保產(chǎn)品質(zhì)量可靠

3、應(yīng)用領(lǐng)域

（1）正激電路

（2）準(zhǔn)諧振反激電路

（3）適配器

（4）太陽(yáng)能逆變器

（5）工業(yè)整流

n溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)

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