KIA品牌 MOS管原廠 KNX6165A 10A/650V規(guī)格書/封裝-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-03-25
KNX6165A通道增強型硅柵功率MOSFET是為高壓設計的。高速功率開關(guān)應用，如高效率開關(guān)電源，有源，開關(guān)電源等?；诎霕蛲負涞墓β室驍?shù)校正電子燈鎮(zhèn)流器。
1、RDS(ON),typ=0.6Ω@VGS=10V
2、符合ROHS標準
3、低柵電荷最小開關(guān)損耗
4、快速恢復體二極管
產(chǎn)品型號：KNX6165A
工作方式：10A/650V
漏源電壓：650V
柵源電壓：±20V
漏電流連續(xù)：10A
脈沖漏極電流：40A
雪崩能量：800mJ
耗散功率：216W
熱電阻：62℃/W
漏源擊穿電壓：650V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：1554PF
輸出電容：153PF
上升時間：31ns
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