KPD8610A使用先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS(ON)和柵電荷,用于廣泛的其他應(yīng)...KPD8610A使用先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS(ON)和柵電荷,用于廣泛的其他應(yīng)用。KPD8610A滿足RoHS和綠色產(chǎn)品的要求，100%的EAS保證了完全的功能可靠性。
在過(guò)去的幾十年中，半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)采取了許多措施來(lái)改善基于硅MOSFET(parasiti...在過(guò)去的幾十年中，半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)采取了許多措施來(lái)改善基于硅MOSFET(parasitic parameters)，以滿足開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器(開(kāi)關(guān)電源)設(shè)計(jì)人員的需求。行業(yè)效率標(biāo)準(zhǔn)以及市場(chǎng)對(duì)...
在電網(wǎng)中，由于大功率負(fù)載關(guān)閉等動(dòng)作，會(huì)導(dǎo)致供電電網(wǎng)電壓產(chǎn)生很高的過(guò)壓浪涌，...在電網(wǎng)中，由于大功率負(fù)載關(guān)閉等動(dòng)作，會(huì)導(dǎo)致供電電網(wǎng)電壓產(chǎn)生很高的過(guò)壓浪涌，這可能造成設(shè)備因?yàn)檩斎攵诉^(guò)壓浪涌而損壞；當(dāng)設(shè)備輸入電壓過(guò)低時(shí)會(huì)導(dǎo)致設(shè)備工作不穩(wěn)...
在此電路中，MP1 是反向電池檢測(cè)器件，MP2 是反向隔離器件。利用 MP1 的源極至...在此電路中，MP1 是反向電池檢測(cè)器件，MP2 是反向隔離器件。利用 MP1 的源極至柵極電壓來(lái)比較電池的正端子與電池充電器輸出。如果電池充電器端子電壓高于電池電壓...
處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一...處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個(gè)二極管，但是由于二極管正向電壓的原因，這種做法會(huì)產(chǎn)生額外的功耗。雖然該方法很...
